Magyar Tudományos Akadémia
SZILÁRDTESTFIZIKAI ÉS OPTIKAI KUTATÓINTÉZET
1121
Budapest, Konkoly Thege út 29-33,  tel: 392-2212

 

  

SZFKI SZEMINÁRIUM

 

MUNKABESZÁMOLÓK:

Füle Miklós

Elektron-állapotsűrűség a sávhatárok közelében amorf szén vékonyrétegekben

 

Amorf szén vékonyrétegekben a sávhatárhoz közeli elektronállapotok az sp2 hibridizációjú szén atomok π kötéseitől származnak. Ezen π elektronállapotok energetikai helyzete erősen függ a minta szerkezetétől. Kutatásainknak az volt a célja, hogy meghatározzuk hogyan változik a π elektronállapotok koncentrációja és energia szerinti eloszlása az amorf szén vékonyrétegek előállítási paramétereinek függvényében, valamint a hőkezelés hatására. A π sávok tulajdonságait optikai mérésekből származtattuk. Az 1-5 eV fotonenergia tartományban végzett spektrál-ellipszometriai mérések eredményeit a Cauchy modellt és a klasszikus oszcillátor modellt felhasználva analizáltuk. Az optikai elnyelés energiafüggéséből meghatároztuk a π elektronállapotok koncentrációját és eloszlását.

 

 

Lakó Sándor

- Munkabeszámoló -

 

 

 

Veres Miklós

Kristályos és amorf szénszerkezetek vizsgálata felületerősített Raman

spektroszkópiával

 

 

 

 

2004. június 29. (kedd) de. 10:00-11:00

I. épület Tanácsterem

 

Minden érdeklődőt szívesen látunk!